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超低压无触点稳压器代理
浏览: 发布日期:2019-04-22
       近年来,随着MOS FET生产工艺的改进,各种开关电源、变换器都广泛采用MOS FET管作为高频高压开关电路,但是,专用于驱动MOS FET管的集成电路国内极少见。驱动MOS FET管的要求是,低输出阻抗,内设灌电流驱动电路。所以,普通用于双极型开关管的驱动IC不能直接用于驱动场效应管。
 
 
       目前就世界范围来说,可直接驱动MOS FET管的IC品种仍不多,单端驱动器常用的是UC3842系列,而用于推挽电路双端驱动器有SG3525A(驱动N沟道场效应管)、SG3527A(驱动P沟道场效应管)和SG3526N(驱动N沟道场效应管)。然而在开关电源快速发展的近40年中,毕竟有了一大批优秀的、功能完善的双端输出驱动IC。同时随着MOS FET管应用普及,又开发了不少新电路,可将其用于驱动MOS FET管,解决MOS FET的驱动无非包括两个内容:一是降低驱动IC的输出阻抗;二是增设MOS FET管的灌电流通路。为此,不妨回顾SG3525A、SG3527A、SG3526N以及单端驱动器UC3842系列的驱动级。
 
     上述IC的驱动输出电路(以其中一路输出为例)。振荡器的输出脉冲经或非门,将脉冲上升沿和下降沿输出两路时序不同的驱动脉冲。在脉冲正程期间,Q1导通,Q2截止,Q1发射极输出的正向脉冲,向开关管栅极电容充电,使漏—源极很快达到导通阈值。当正程脉冲过后,若开关管栅—源极间充电电荷不能快速放完,将使漏源极驱动脉冲不能立即截止。为此,Q1截止后,或非门立即使Q2导通,为栅源极电容放电提供通路。此驱动方式中,Q1提供驱动电流,Q2提供灌电流(即放电电流)。Q1为发射极输出器,其本身具有极低的输出阻抗。